Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e | Diszkrét félvezető termékek | 6

RN1112(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1924

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

részvénytársaság: 126227

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

részvénytársaság: 1912

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

részvénytársaság: 100188

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1954

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1987

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

részvénytársaság: 1976

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

részvénytársaság: 1970

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

részvénytársaság: 1984

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

részvénytársaság: 2177

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1902

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

részvénytársaság: 9904

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

részvénytársaság: 116634

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

részvénytársaság: 1960

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

részvénytársaság: 2029

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

részvénytársaság: 1997

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

részvénytársaság: 128621

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

részvénytársaság: 1985

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

részvénytársaság: 1935

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

részvénytársaság: 1956

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

részvénytársaság: 2014

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

részvénytársaság: 176393

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

részvénytársaság: 158736

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

részvénytársaság: 147458

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

részvénytársaság: 1999

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

részvénytársaság: 1905

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1959

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

részvénytársaság: 1945

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

részvénytársaság: 159037

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

részvénytársaság: 1965

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

részvénytársaság: 1933

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

részvénytársaság: 3234

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1981

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

részvénytársaság: 184462

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

részvénytársaság: 140630

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

részvénytársaság: 164879

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista