Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e
RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

részvénytársaság: 1976

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

részvénytársaság: 1953

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

részvénytársaság: 1980

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

részvénytársaság: 1961

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1986

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

részvénytársaság: 1925

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

részvénytársaság: 2043

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1932

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

részvénytársaság: 1944

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

részvénytársaság: 2027

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1975

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

részvénytársaság: 199880

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

részvénytársaság: 1959

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1901

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

részvénytársaság: 9941

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

részvénytársaság: 1966

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

részvénytársaság: 1955

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

részvénytársaság: 169265

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1945

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1956

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

részvénytársaság: 1979

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

részvénytársaság: 2028

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1977

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

részvénytársaság: 1987

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

részvénytársaság: 1950

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

részvénytársaság: 2045

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

részvénytársaság: 3230

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1956

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

részvénytársaság: 126325

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

részvénytársaság: 2063

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

részvénytársaság: 176769

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 5.6 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

részvénytársaság: 2026

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1962

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

részvénytársaság: 120698

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

részvénytársaság: 112225

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

részvénytársaság: 163677

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista