Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

részvénytársaság: 176974

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

részvénytársaság: 1741

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

részvénytársaság: 116110

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

részvénytársaság: 1726

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

részvénytársaság: 133617

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

részvénytársaság: 1717

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

részvénytársaság: 103457

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

részvénytársaság: 114770

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

részvénytársaság: 192815

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

részvénytársaság: 1776

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

részvénytársaság: 181928

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

részvénytársaság: 185360

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

részvénytársaság: 1709

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 200 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

részvénytársaság: 116839

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

részvénytársaság: 125855

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

részvénytársaság: 3186

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

részvénytársaság: 138320

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

részvénytársaság: 1723

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

részvénytársaság: 154084

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista