Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single | Diszkrét félvezető termékek | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

részvénytársaság: 5232

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

részvénytársaság: 6608

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

részvénytársaság: 5272

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

részvénytársaság: 5238

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

részvénytársaság: 5233

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 8A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 450V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

részvénytársaság: 5083

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

részvénytársaság: 184025

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

részvénytársaság: 129870

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

részvénytársaság: 105477

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

részvénytársaság: 145497

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

részvénytársaság: 132736

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

részvénytársaság: 156237

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

részvénytársaság: 105262

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

részvénytársaság: 114013

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

részvénytársaság: 141692

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

részvénytársaság: 150771

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

részvénytársaság: 149461

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

részvénytársaság: 100270

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 300V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

részvénytársaság: 118674

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

részvénytársaság: 171156

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

részvénytársaság: 4810

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

részvénytársaság: 104340

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

részvénytársaság: 27295

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 18A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 160V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

részvénytársaság: 27908

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 18A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 160V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

részvénytársaság: 96245

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 375V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

részvénytársaság: 124

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1.5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

részvénytársaság: 192103

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

részvénytársaság: 118518

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1.5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 285V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

részvénytársaság: 174487

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 30nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

részvénytársaság: 186338

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

részvénytársaság: 25341

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 15A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

részvénytársaság: 25369

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 15A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

részvénytársaság: 146507

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1.5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 160V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

részvénytársaság: 7058

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

részvénytársaság: 7067

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

részvénytársaság: 142061

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 30nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Kívánság lista