Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single | Diszkrét félvezető termékek | 11

2SA1020-Y(T6ND1,AF

részvénytársaság: 6998

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOFM

részvénytársaság: 6993

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CN,A,F

részvénytársaság: 6954

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(ND1,AF)

részvénytársaság: 6985

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOAF

részvénytársaság: 7006

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(HIT,F,M)

részvénytársaság: 6997

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,T6CSF(J

részvénytársaság: 6930

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(6MBH1,AF

részvénytársaság: 6930

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,F(J

részvénytársaság: 6938

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,CKF(J

részvénytársaság: 6931

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(F,M)

részvénytársaság: 6950

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6965

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,NSEIKIF(J

részvénytársaság: 6974

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,T6CSF(J

részvénytársaság: 6928

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1013-O,T6MIBF(J

részvénytársaság: 6980

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 160V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-GR,LF(D

részvénytársaság: 6875

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 6792

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954-A(TE85L,F)

részvénytársaság: 6773

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 6693

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 6762

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3138-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 6780

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 200V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154MFV-GR(TPL3

részvénytársaság: 6792

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5233BTE85LF

részvénytársaság: 6787

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954BTE85LF

részvénytársaság: 6795

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116SU-Y,LF

részvénytársaság: 6677

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586SU-Y,LF

részvénytársaság: 6701

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y,LF

részvénytársaság: 6675

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1221-Y(Q)

részvénytársaság: 6572

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1225-Y(Q)

részvénytársaság: 6628

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1.5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 160V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6565

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406-Y(F)

részvénytársaság: 6556

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 4A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 30µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407A-Y(F)

részvénytársaság: 6562

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-Y(Q)

részvénytársaság: 6619

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-O(Q)

részvénytársaság: 6562

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TPE6,F)

részvénytársaság: 6533

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6581

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista