Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single | Diszkrét félvezető termékek | 11

2SC2229-Y,F(J

részvénytársaság: 6978

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6957

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

részvénytársaság: 7016

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

részvénytársaság: 6992

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

részvénytársaság: 6990

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

részvénytársaság: 7022

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

részvénytársaság: 7021

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

részvénytársaság: 6703

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

részvénytársaság: 6975

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

részvénytársaság: 7020

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

részvénytársaság: 7022

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

részvénytársaság: 6954

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

részvénytársaság: 6948

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

részvénytársaság: 6990

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

részvénytársaság: 6947

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

részvénytársaság: 7035

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

részvénytársaság: 7005

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

részvénytársaság: 6999

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

részvénytársaság: 7004

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 400mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

részvénytársaság: 6754

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 400mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

részvénytársaság: 6942

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

részvénytársaság: 6995

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

részvénytársaság: 7000

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

részvénytársaság: 6996

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 4A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 2µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

részvénytársaság: 6949

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6958

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

részvénytársaság: 6947

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

részvénytársaság: 6980

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

részvénytársaság: 7012

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

részvénytársaság: 6968

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

részvénytársaság: 7012

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

részvénytársaság: 6956

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

részvénytársaság: 6980

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

részvénytársaság: 6968

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

részvénytársaság: 7009

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

részvénytársaság: 6956

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista