Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

részvénytársaság: 6969

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

részvénytársaság: 7016

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

részvénytársaság: 6976

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

részvénytársaság: 6938

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6937

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

részvénytársaság: 6975

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

részvénytársaság: 6952

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

részvénytársaság: 7006

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6949

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

részvénytársaság: 6969

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 150V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1972,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

részvénytársaság: 5673

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 400V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1972,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

részvénytársaság: 6973

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 400V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

részvénytársaság: 7026

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

részvénytársaság: 6986

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

részvénytársaság: 6951

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

részvénytársaság: 6948

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

részvénytársaság: 6957

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

részvénytársaság: 6946

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

részvénytársaság: 6957

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

részvénytársaság: 6765

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

részvénytársaság: 6941

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Kívánság lista
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

részvénytársaság: 7022

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

részvénytársaság: 6775

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

részvénytársaság: 6939

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

részvénytársaság: 7019

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

részvénytársaság: 6989

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

részvénytársaság: 6940

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

részvénytársaság: 7005

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

részvénytársaság: 6727

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

részvénytársaság: 7004

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

részvénytársaság: 6990

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

részvénytársaság: 6947

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

részvénytársaság: 6752

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

részvénytársaság: 6966

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

részvénytársaság: 6942

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

részvénytársaság: 6984

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista