Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single

itthon
Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single

2SD2695(T6CNO,A,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

részvénytársaság: 7027

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2695(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

részvénytársaság: 7067

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2695(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

részvénytársaság: 6998

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2257,NIKKIQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

részvénytársaság: 7056

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

részvénytársaság: 6993

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

részvénytársaság: 7066

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

2SD2257,KEHINQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

részvénytársaság: 6789

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

2SD2257(CANO,A,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

részvénytársaság: 6792

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

2SD2257(CANO,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

részvénytársaság: 6778

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Kívánság lista

2SD2206A(T6SEP,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

részvénytársaság: 6989

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

részvénytársaság: 7064

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2206(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

részvénytársaság: 7008

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2206(T6CNO,A,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

részvénytársaság: 7045

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2206(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

részvénytársaság: 7037

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Kívánság lista

2SD2129,ALPSQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

részvénytársaság: 7039

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Kívánság lista

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

részvénytársaság: 7003

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 100V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Kívánság lista

2SC6042,T2WNLQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

részvénytársaság: 7001

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 375V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

részvénytársaság: 6717

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1.5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 160V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

részvénytársaság: 7021

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 800V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC6042,T2HOSH1Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

részvénytársaság: 7019

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 375V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC6010(T2MITUM,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

részvénytársaság: 6714

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC6040(TPF2,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

részvénytársaság: 7015

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 800V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5930(TPF2,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

részvénytársaság: 6994

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5930(T2MITUM,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

részvénytársaság: 6971

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

részvénytársaság: 6716

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5201,T6MURAF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

részvénytársaság: 7019

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

részvénytársaság: 6724

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5201(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

részvénytársaság: 6968

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5172(YAZK,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

részvénytársaság: 7006

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 5A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 400V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 20µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5201(T6MURATAFM

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

részvénytársaság: 7026

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 600V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

részvénytársaság: 6967

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

részvénytársaság: 6979

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5171(ONK,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

részvénytársaság: 6992

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5171,MATUDQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

részvénytársaság: 7059

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

2SC5171(LBS2MATQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

részvénytársaság: 6988

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 180V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 5µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

részvénytársaság: 7005

Tranzisztor típusa: NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Kívánság lista

361

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»